据韩国半导体业界近日透露，三星电子正在改进12纳米级动态随机存取存储器（DRAM）“D1b”的设计。三星电子于2023年首次量产“D1b”，应用于显卡DRAM和手机DRAM上。此次改变已生产一年多的DRAM设计是半导体行业中罕见的案例。新款“D1b”将于年内量产，预计最快第二季度或第三季度发布。除改变“D1b”设计外，三星电子还启动了名为“D1b-p”的新开发项目，以增强DRAM竞争力。（科技日报）
据韩国半导体业界近日透露，三星电子正在改进12纳米级动态随机存取存储器（DRAM）“D1b”的设计。三星电子于2023年首次量产“D1b”，应用于显卡DRAM和手机DRAM上。此次改变已生产一年多的DRAM设计是半导体行业中罕见的案例。新款“D1b”将于年内量产，预计最快第二季度或第三季度发布。除改变“D1b”设计外，三星电子还启动了名为“D1b-p”的新开发项目，以增强DRAM竞争力。（科技日报）